6月1日，美国国防高级研究计划局（DARPA）宣布推出电子复兴计划（ERI），提出了推动芯片向超越摩尔定律方向发展的技术使命和目标。9月13日，DARPA发布ERI三大研究领域招标公告^[1]，拟在2018年投资7500万美元开展六大项目研究。

1、材料和集成

（1）三维单片片上系统（3DSoC）项目。专注于开发在单个基底上构建三维微系统的材料、设计工具和制作技术，提高微电子芯片上逻辑、存储、输入/输入单元的封装效率，显著地缩短计算时间、降低功耗，使计算效率提高50倍以上。

（2）新型计算基础研究（FRANC）项目。当今计算机性能的主要限制因素在于存储器和处理器之间数据传输的时间延迟和能量消耗。该项目将克服这种瓶颈，开发新材料、组件、算法来提高逻辑电路中数据传输速度，或者设计逻辑和存储电路更加复杂的全新架构。

2、设计

（1）电子硬件智能设计（IDEA）项目。将开发创建电子硬件自动化布局生成器所需的算法、方法、软件，使没有电子设计知识的用户能够在24小时内完成混合信号集成电路、系统级封装和印刷电路板等电子硬件的物理设计。

（2）一流开源硬件（POSH）项目。提供开源设计和验证框架，包括技术、方法、标准，从而实现具有成本效益的超复杂片上系统设计。DARPA希望可降低复杂片上系统设计障碍的新工具能够打开一个特定应用设计创新的新时代。

3、架构

（1）软件定义硬件（SDH）项目。将创建运行时可重新配置的硬件和软件，在不牺牲数据密集型算法的可编程性的情况下实现类似专用集成电路（ASIC）的性能，且没有专用集成电路开发相关的成本、开发时间或单个应用限制。

（2）特定领域片上系统（DDSoC）项目。将开发一种由通用处理器、专用处理器、硬件加速器、存储器、输入/输出元件等多个内核组成的异构片上系统，进而通过单个可编程器件实现多应用系统的快速开发。

此外，“联合大学微电子项目” （JUMP）和“多样化异构集成”（DAHI）、 “微电子通用异构集成与知识产权再利用策略”（CHIPS）、“更短时间内的电路实现”（CRAFT）等现有ERI其他项目将于2018年获得1.41亿美元的资助。总体来说，ERI将在未来4年内为投入数亿美元开展先进新材料、电路设计工具和系统架构研究。       （王立娜）