美国NIST与高校合作探究半导体前沿技术

作者: 2018-04-08 14:20 来源:
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据美国国家标准与技术研究院(NIST)网站216日消息,NIST向专注于开发新材料、实现新型计算和存储技术的NEW LIMITS研究联盟开展资助[1]。相关工作由普渡大学领衔,合作方包括德克萨斯大学达拉斯分校、宾州州立大学、密歇根大学和斯坦福大学等。该联盟将开发新的路径,以创造、综合利用和评估用于新技术以及混合设计(与当前技术兼容)的新材料,重点关注以下五大关键研究方向。

1)新型计算范式新的计算和存储范式、操作理论、超越传统CMOS器件、超越冯诺依曼体系结构、超越传统的信息处理和传感等。

2)器件、互连与材料研究实现新型计算与存储范例,涉及-族、低维(0-2维)、多铁性、铁电、磁性、相变、金属绝缘体转变等材料的系统与界面研究,需要有新的原子级精确沉积和去除方法。

3)先进制造与纳米制造新型材料和器件需要先进的制造技术,如原子级精密放置、沉积、图案化和蚀刻等。加工、界面和缺陷的控制也是至关重要的,并且需要具有纳米分辨率的先进测量工具。新型网络物理系统对封装技术提出新的需求。

4)创新型计量与表征支持基本设备和材料研究的创新计量和表征,以及测试平台和标准,以便从设备级到系统级对性能进行基准测试,实现高空间分辨率、高通量、原位和实际操作。

5)计算模型支持从新兴设备与材料到新系统的基础研究,包括从头计算和基于物理的有效模型(为材料发现和制造过程模拟功能提供预测处理)、电子设计自动化工具(可实现完整系统,包括逻辑/物理设计、仿真及其支持的新型计算范式的验证)等。           (万勇)



[1] NIST Partners with University Effort for Cutting-Edge Semiconductor Technology. https://www.nist.gov/news-events/news/2018/02/nist-partners-university-effort-cutting-edge-semiconductor-technology

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