1月底到2月初，欧盟正式启用了两条芯片法案中试线。《欧洲芯片法案》于2023年9月通过并生效，“欧洲芯片计划”是该法案的三大支柱之一，该计划将投入37亿欧元（约合295.5亿元人民币）支持5条中试线，这些中试线致力于推动芯片技术从实验室走向晶圆厂，强化欧洲企业在全球半导体供应链中的地位。

1、“为嵌入式非易失性存储器、射频、3D集成与电源管理集成电路的应用而设计的全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）中试线，以确保欧洲自主性”（FAMES）。1月30日，位于法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-LETI）的FAMES中试线正式启用，成为5条中试线中首个投入运营的项目，总投资约8.3亿欧元，旨在为企业和研究人员提供大规模共享设施，以测试新芯片^[1]。FAMES中试线专注于测试FD-SOI制造工艺，该技术支持芯片在低电压下运行，同等性能条件下功耗较传统设计降低30%~40%。该项目汇聚了欧洲11个研究与技术组织，新增2000平方米先进洁净室，并获得意法半导体、SOITEC、西门子等超过40家工业合作伙伴的支持。

2、“纳米集成电路”（NanoIC）中试线。2月9日，欧盟正式启用NanoIC中试线，这是《欧洲芯片法案》框架下规模最大的试点设施，总投资额达25亿欧元，旨在将芯片技术推向当今制造极限^[2]。NanoIC中试线位于比利时微电子研究中心（IMEC），是欧洲首个部署了最先进极紫外（EUV）光刻系统的研发平台，可支持2纳米及以下技术节点的工艺研发与验证，显著提升欧洲在先进制程领域的自主研发能力。长期以来，先进逻辑制造主要由美国与亚洲企业主导，NanoIC中试线的建成将有助于欧洲在全球高端制造竞争格局中获得更具战略意义的地位。在功能定位上，NanoIC面向人工智能、自动驾驶、先进医疗系统及未来6G通信等关键应用领域，构建接近工业化规模的研发与验证环境。该平台可在商业晶圆厂量产前，对新型器件架构、新材料体系及关键工艺模块进行系统性测试与工艺优化，从而降低技术转移风险，加快创新成果向产业化落地的转化进程。

另外3条正在建设中的中试线包括：德国弗劳恩霍夫协会（Fraunhofer）的“电子元件与系统先进封装与异构集成”（APECS）中试线，研发芯粒（chiplet）技术；意大利国家研究委员会（CNR）的“宽带隙”（WBG）中试线，开发宽带隙半导体技术；西班牙光子科学研究所的“欧洲先进光子集成电路”（PIXEurope）中试线，开发光子芯片技术。

（王艺蒙 黄茹 郭文娟）