5月，兰德公司发布《如何预测中国光刻技术的飞跃》研究报告^[1]，通过对比德尔菲专家预测法与兰德众包预测平台两种结果，评估了在美国出口管制背景下，中国实现高端光刻设备本土化量产的可能性。研究针对两大核心预测问题：2026年前中国能否量产每小时产能140片以上的商业级深紫外（DUV）光刻机；2030年前中国能否量产每小时产能90片以上的商业级极紫外（EUV）光刻机。通过梳理两种方法的预测结果与关键影响因素，为半导体领域地缘竞争决策提供参考。

一、德尔菲专家预测

研究选取6名半导体和中国科技政策领域的专家，经三轮匿名研讨与反馈修正后形成结论：中国2026年实现DUV光刻机量产目标的概率仅为25%，2030年实现EUV光刻机量产目标的概率仅为10%。时间不足是中国突破的首要制约因素，其次是技术壁垒，DUV光刻机需复刻完整供应链，而EUV光刻机更是荷兰阿斯麦（ASML）耗时20年才攻克的。同时，美国出口管制切断了关键零部件与核心技术获取渠道，加剧了研发量产难度。有利因素包括：中国政策的强力支持、资金投入充足及部分海外人才回流，但这些不足以抵消核心阻碍。

二、众包平台预测

兰德旗下的“兰德预测倡议”平台吸引了80名跨领域非专业参与者，预测结果是：中国2026年实现DUV光刻机量产目标的概率为37%，2030年实现EUV光刻机量产目标的概率达45%。众包参与者认为，中国的国家战略、大规模资金支持、持续人才吸引是技术突破的关键支撑。中国在其他高科技领域的追赶经验、对海外知识产权的获取能力，也为光刻技术攻关提供了助力。参与者同样承认技术难度高、供应链受限，但在长期政策驱动下，中国具备逐步突破的可能性。

三、两方法对比

两种预测的结果呈现较大差异，主要源于三方面：预测周期不同，专家仅用1天完成三轮研讨，众包参与者拥有5周时间持续更新信息、修正判断；认知偏差差异，专家易受专业背景影响产生过度自信，低估非技术因素的作用。而众包参与者经专业预测训练，更注重概率校准；关注角度不同，专家侧重技术可行性分析，众包参与者兼顾政策执行力与产业追赶规律。但双方也达成一些共识，即技术壁垒与美国出口管制是阻碍中国光刻技术突破的决定性因素。

四、研究结论与建议

在现有出口管制下，中国短期内量产高端DUV光刻机的概率偏低，长期内攻克EUV技术的难度极大。德尔菲法在短期技术预测中精准度更高，众包预测法则在长期复杂议题中更具参考价值。在研究方法层面，报告建议融合两种方法提升预测可靠性。在政策制定层面，报告建议美国扩大半导体研发投入、强化盟友协同、扶持本土半导体制造、完善人才培育与知识产权保护体系。  

（吴文涛）